IGBT GA100D

Описание IGBT GA100D

IGBT GA100D – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или другая версия) |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 50–70 А (при 100°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А (макс.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300–400 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | 30–50 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или TO-3P) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модели (по характеристикам):

• GA100D60 (аналог с V_CES = 600 В)
• GA100D120 (версия на 1200 В, если существует)
• GA100D аналоги в корпусе TO-247

Примечание

Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя и модификации. Рекомендуется проверять datasheet конкретной модели перед заменой.

Если вам нужны данные по конкретному производителю или дополнительные аналоги, уточните детали.