IGBT GA200TS60U

Описание IGBT модуля GA200TS60U

GA200TS60U – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, систем управления электродвигателями и других приложений с высоким напряжением и током. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и эффективным теплоотводом благодаря изолированному корпусу.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 400 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при номинальном токе)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~500 Вт (с учетом охлаждения)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Характеристики встроенного диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток диода (I_F): 200 А

Динамические параметры:

• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс

Корпус и монтаж:

• Тип корпуса: Изолированный (обычно TO-247 или аналогичный)
• Монтаж: Винтовые клеммы для силовых выводов

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon: FF200R06KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U6A-060
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Альтернативы с похожими параметрами (600 В / 200 А):

• IXYS: IXGH200N60B3
• STMicroelectronics: STGW200NC60WD

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны точные данные для конкретной сборки, рекомендуется проверять даташит производителя (например, Toshiba, если это оригинальный модуль). Некоторые параметры могут отличаться в зависимости от производителя и серии.