IGBT GD200S

IGBT GD200S: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT GD200S – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания.

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью, что делает его подходящим для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом обратного хода | | Максимальное напряжение (V_CES) | 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации) | | Номинальный ток (I_C) | 200 А | | Ток коллектора (макс.) | до 400 А (импульсный) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В | | Время включения (t_on) | ~50–100 нс | | Время выключения (t_off) | ~200–400 нс | | Рабочая частота | до 20–30 кГц | | Корпус | Изолированный (TO-247, TO-264 или модульный) | | Температура хранения | -40°C до +150°C | | Рабочая температура | -25°C до +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера GD200S

• Infineon: IKW40N120T2, IKW50N60T
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-060, 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM200DY-24NF
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модели (в зависимости от корпуса и параметров)

• GD150S (150 А, 600 В)
• GD300S (300 А, 1200 В)
• GD200D (двойной IGBT, 200 А)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная информация по конкретной модификации, уточните напряжение и корпус.