IGBT GD50HFU120C1S

IGBT модуль GD50HFU120C1S: описание, характеристики и совместимость

Описание

IGBT модуль GD50HFU120C1S – это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в преобразователях частоты, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и промышленных инверторах. Модуль сочетает в себе IGBT-транзистор и быстрый антипараллельный диод, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с диодом (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура хранения/эксплуатации | -40°C … +150°C | | Корпус | 6-выводной (TO-247 или аналогичный) | | Производитель | (уточнить, возможно, Infineon, Mitsubishi или др.) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера и заменяемые модели могут отличаться в зависимости от производителя, но возможные аналоги:

• Infineon: IKW50N120T2, IKW50N120H3
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• International Rectifier (IR): IRG4PH50UD

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташит и параметры конкретного применения. Если у вас есть дополнительные требования (наличие встроенного драйвера, другие корпуса), уточните их.