IGBT GT25Q101

Описание IGBT GT25Q101

GT25Q101 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, сварочных инверторах, индукционных нагревателях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 50 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при I_C = 25 А) | | Энергия переключения (E_on + E_off) | ~0.5–1.0 мДж (зависит от условий) | | Время включения (t_on) | ~50–100 нс | | Время выключения (t_off) | ~200–400 нс | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | ~0.5–0.8 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH25N120BD1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW25H120DF (STMicroelectronics)

Похожие модели по характеристикам:

• GT25Q121 (аналог с улучшенными параметрами)
• GT40Q121 (более мощная версия, 40 А)
• GT20Q101 (версия на 20 А)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах переключения и тепловых режимах. Для точного подбора аналога лучше использовать даташиты.

Если вам нужны более точные параметры или схемы включения, уточните модель производителя (Infineon, Toshiba, Mitsubishi и др.).