IGBT GT60M323

Описание IGBT GT60M323

GT60M323 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, двигатели переменного тока и сварочные аппараты.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) | | Максимальная импульсная мощность (P_CM) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 60 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT GT60M323 может иметь аналоги от разных производителей:

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH60N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)
• APT60GF60B2G (Microsemi)
• IKW60N65EH5 (Infineon)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Этот IGBT обладает хорошим балансом между скоростью переключения и мощностью, что делает его подходящим для высоконагруженных приложений. При замене рекомендуется проверять соответствие параметров, особенно V_CES и I_C.