IGBT H30T90

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT H30T90
Описание IGBT H30T90
H30T90 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и системах управления двигателями.
Этот IGBT обладает высокой надежностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам. Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, что делает его пригодным для работы в жестких условиях.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 900 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 15 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (при IC = 30 А) |
| Время включения (ton) | 35 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Макс. рабочая температура | 150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Встроенный диод | Нет |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 900V, 45A)
- FGH30T90SFD (Fairchild/ON Semi, 900V, 30A)
- STGW30NC90WD (STMicroelectronics, 900V, 30A)
- IXGH30N90B (IXYS, 900V, 30A)
Парт-номера производителей:
- H30T90 (оригинальный номер)
- H30T90-TO247 (вариант корпуса)
- HGTG30N90 (аналог от Microsemi)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Сварочные аппараты
- Системы управления электродвигателями
Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть IGBT с большим током (например, H40T90 или IRG4PC50UD). Для замены важно учитывать параметры VCES, IC и корпус.
Нужна дополнительная информация?