IGBT H40T60

IGBT H40T60: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT H40T60 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных системах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 160 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 40 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3 контакта) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N60 (IXYS)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели:

• H40T60S (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)
• H40T60K (версия с низкими потерями)
• H40T60R (оптимизирован для высокочастотных применений)

Примечание: Перед заменой рекомендуется проверить соответствие параметров, особенно по вольт-амперным характеристикам и времени переключения.

Если требуется более точная информация по конкретному производителю или даташит, уточните модель производителя (Infineon, Mitsubishi, Toshiba и др.).