IGBT hgtg30n60a4d

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT hgtg30n60a4d
Описание IGBT HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 60 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 30 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 120 А |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (при IC = 30 А) |
| Время включения (ton) | 27 нс |
| Время выключения (toff) | 160 нс |
| Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.42 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналогичные модели от других производителей:
- IRG4PH50UD (Infineon)
- FGH60N60SMD (ON Semiconductor)
- IXGH60N60B3 (Littelfuse)
- STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
Альтернативы в том же семействе (Fairchild/ON Semiconductor):
- HGTG30N60B3D (более высокая скорость переключения)
- HGTG20N60A4D (30 А → 20 А)
- HGTG40N60A4D (30 А → 40 А)
Применение
- Инверторы и импульсные источники питания
- Драйверы двигателей
- Сварочное оборудование
- Управление мощными нагрузками
Если нужны дополнительные параметры (например, графики характеристик или точные аналоги), уточните!