IGBT IHW30N160R2

Описание IGBT IHW30N160R2

IHW30N160R2 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.

Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи мощности
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и системы возобновляемой энергии

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.2 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: IHW30N160R2 (оригинал)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N160FTD
• STMicroelectronics: STGW30NC160WD

Совместимые модели (аналоги по параметрам):

• IXYS: IXGH30N160
• Mitsubishi: CM300DY-24A
• Toshiba: MG300Q1US41

Замены с близкими характеристиками:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (1200 В, 45 А)
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-170 (1700 В, 200 А, модульный)

Примечания

• При замене аналогами необходимо учитывать различия в корпусе и параметрах.
• Для высоконагруженных систем рекомендуется использовать оригинальные модули Infineon.
• Перед монтажом проверяйте схему включения и условия охлаждения.

Если нужны дополнительные данные (графики, datasheet), уточните!