IGBT IXGN320N60A3

IGBT IXGN320N60A3
Артикул: 298484

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT IXGN320N60A3

Описание IGBT IXGN320N60A3

IXGN320N60A3 – это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от IXYS, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET и биполярного транзистора, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Основные сферы применения:

  • Инверторы и преобразователи
  • Управление электродвигателями
  • Сварочное оборудование
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Индукционный нагрев

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 320 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 200 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 640 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 830 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1,8 В (при 160 А) |
| Время включения (ton) | 55 нс |
| Время выключения (toff) | 270 нс |
| Корпус | TO-264 (аналогичен TO-247) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |


Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

  • IXGN320N60A2 (предыдущая версия с близкими параметрами)
  • IXGN320N60B3 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

  • IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 57 А) – для менее мощных систем
  • FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650 В, 60 А)
  • STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650 В, 60 А)

Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW75N60T (600 В, 75 А)
  • Toshiba: GT60QR21 (600 В, 60 А)

Примечания по замене

  1. Напряжение и ток: При выборе аналога важно учитывать не только VCES, но и токовую нагрузку.
  2. Корпус: TO-264 и TO-247 взаимозаменяемы механически, но могут отличаться тепловыми характеристиками.
  3. Затворные характеристики: Напряжение управления (VGE) должно быть в пределах ±20 В.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами и тестировать в реальной схеме.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!

Товары из этой же категории