IGBT IXGT16N170AH1

Описание IGBT IXGT16N170AH1

IXGT16N170AH1 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низкими коммутационными потерями, высокой скоростью переключения и хорошей устойчивостью к перегрузкам.

Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и промышленная автоматика
• Индукционный нагрев

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип прибора | N-канальный IGBT |
| Макс. напряжение VCES | 1700 В |
| Макс. ток коллектора (IC) | 16 А (при 25°C) |
| Ток импульса (ICM) | 32 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 3,5 В (при IC=16A) |
| Энергия включения (Eon) | ~6 мДж (тип.) |
| Энергия выключения (Eoff) | ~4 мДж (тип.) |
| Тепловое сопротивление (RthJC) | 0,75 °C/Вт |
| Корпус | TO-264 (изолированный) |
| Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IXGT16N170AH1 (оригинал от IXYS)
• IXGT16N170AH1-ND (версия для дистрибьюторов)

Частично совместимые модели (аналоги с близкими параметрами):

• IXGH16N170AH1 (аналог с другим корпусом)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 21A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A)
• HGTG20N170A (Microsemi, 1700V, 20A)

Рекомендуемые замены (проверьте спецификации!):

• APT170GF120JU2 (Microsemi)
• STGW30H170D (STMicroelectronics, 1700V, 30A)

Примечания

• При замене на аналог важно учитывать напряжение VCES, ток IC, корпус и тепловые параметры.
• Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты и сравнивать динамические характеристики (Eon/Eoff).

Если нужна помощь с выбором аналога или уточнением параметров — укажите условия эксплуатации (частота, нагрузка, схема).