IGBT IXSN35N100U1

Описание IGBT IXSN35N100U1

IXSN35N100U1 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1000 В и током коллектора 35 А. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Отличается низким падением напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) и высокой скоростью переключения, что минимизирует потери мощности. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 35 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 23 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 70 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) (при I_C = 35 А) | ≤ 2.5 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IHW35N100R5
• STMicroelectronics: STGW35HF60WD
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-060
• Mitsubishi: CM100DY-24H

Парт-номера в других корпусах:

• IXSN35N100U2 (аналог в корпусе TO-264)
• IXSN35N100U3 (аналог в корпусе TO-3P)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Для замены рекомендуется проверять разводку печатной платы и параметры V_CE, I_C.

Если нужна дополнительная информация по аналогам — уточните условия работы (частота переключений, нагрузка).