IGBT IXYH82N120C3

IGBT IXYH82N120C3: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT IXYH82N120C3 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, электроприводов и других силовых приложений.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Большой ток коллектора (82 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод (Fast Recovery Diode)
• Изолированный корпус (TO-247 или аналогичный)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 82 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 164 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) (при 40 А) | ~1.8–2.2 В |
| Время включения (t_d(on)) | ~30–50 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | ~100–200 нс |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300–400 Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный или неизолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Infineon:
   • IKW82N120T7 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
   • IKW75N120T2 (75 А, 1200 В)
2. STMicroelectronics:
   • STGW80H120DF3 (80 А, 1200 В, с диодом)
   • STGW75HF120S (75 А, 1200 В)
3. Fuji Electric:
   • 2MBI100XB-120-50 (100 А, 1200 В, модуль)
4. ON Semiconductor:
   • FGH82N120SMD (82 А, 1200 В, TO-247)

Другие совместимые модели (по параметрам):

• IXGH82N120B3 (аналог от IXYS)
• IRG4PH50UD (50 А, 1200 В, International Rectifier)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Тяговые преобразователи

Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните запрос.