IGBT IXYN80N90C3H1

Описание и технические характеристики IGBT IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 900 В и током коллектора 80 А (при 25°C). Модуль разработан для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Промышленные приводы

Основные параметры:

| Характеристика | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В | | Ток коллектора (I_C) | 80 А (при 25°C) / 40 А (при 100°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 160 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,25 В (при I_C = 40 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Входная емкость (C_ies) | 1800 пФ | | Время включения (t_d(on)) | 25 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (3 контакта) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Infineon: IKW80N90T (900 В, 80 А, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW80H65DFB (650 В, 80 А, но может использоваться в некоторых схемах с меньшим напряжением)
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-090 (900 В, 100 А, модуль)
• ON Semiconductor: FGH80N60SFD (600 В, 80 А, но с меньшим напряжением)

Парт-номера производителя (IXYS):

• IXYN80N90C3 (базовая версия без "H1")
• IXYN80N90C3D1 (вариант с улучшенными характеристиками)

Примечание

При замене на аналог важно учитывать:

• Напряжение и ток
• Время переключения
• Корпус и расположение выводов

Если требуется точная совместимость, лучше использовать оригинальный IXYN80N90C3H1 или его прямые аналоги от IXYS/Infineon.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!