IGBT IXYX120N120C3

Описание IGBT IXYX120N120C3

IXYX120N120C3 – это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Устройство обладает низкими коммутационными потерями и высокой эффективностью, что делает его пригодным для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Сварочного оборудования
• Промышленных приводов
• Систем возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------| | Производитель | IXYS (ныне часть Littelfuse) | | Тип устройства | NPT IGBT (Non-Punch-Through)| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 120 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 240 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 120 А) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Корпус | TO-264 (аналогичен TO-247) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (проверяйте распиновку и характеристики!):

• Infineon: IKW120N120T6, IKW120N120H3
• Fuji Electric: 2MBI120U2B-120
• Mitsubishi: CM1200DUC-24H
• STMicroelectronics: STGW120NC120HD
• Semikron: SKM120GB128D

Примечания

1. IXYX120N120C3 использует технологию NPT (Non-Punch-Through), что обеспечивает устойчивость к перегрузкам.
2. Для замены учитывайте:
   • Напряжение и ток (1200 В / 120 А).
   • Тип корпуса (TO-264/TO-247).
   • Наличие встроенного диода (у данной модели его нет).

Если вам нужна более точная совместимость, уточните схему применения и условия работы (частоту коммутации, тепловой режим).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!