IGBT KE55GB-80

Описание IGBT модуля KE55GB-80

Производитель: Fuji Electric (или другой, если уточните)
Тип: IGBT-модуль (NPT-IGBT или другой тип)
Назначение: Используется в силовой электронике: частотные преобразователи, инверторы, сварочное оборудование, системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 80 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 55 А (при определённых условиях, например, T_c=25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: ~35 А (примерное значение, уточните у производителя)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): ~200 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Тип корпуса: Стандартный модуль (например, 6 в 1, half-bridge или другой)

Динамические параметры:

• Время включения (t_on): ~50 нс (примерно)
• Время выключения (t_off): ~100 нс
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.5–2.0 В (при номинальном токе)

Термические характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25°C/Вт

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• Fuji Electric: KE55GB-80
• Другие варианты: KE55GB080, KE55GB080R (если есть модификации)

Совместимые / аналогичные модели:

• Infineon: FF55R80 (пример, уточните по даташиту)
• Mitsubishi: CM55DY-80 (возможный аналог)
• SEMIKRON: SKM55GB80 (проверьте распиновку)

При замене аналогами важно учитывать:

• Распиновку и тип корпуса
• Напряжение и токовые характеристики
• Термические параметры

Примечание

Для точной информации рекомендуется проверить даташит производителя (Fuji Electric или другого). Указанные параметры могут варьироваться в зависимости от модификации и производителя.

Если у вас есть дополнительные данные (например, тип корпуса, производитель), я могу уточнить описание.