IGBT L18P050D15

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT L18P050D15
Описание IGBT L18P050D15
IGBT L18P050D15 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:
- Инверторы и преобразователи частоты
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Промышленные источники питания
Ключевые особенности:
- Низкие потери в проводящем и переключающем режимах
- Высокая стойкость к перегрузкам
- Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратных токов
- Корпус с низким тепловым сопротивлением
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1500 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 18 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 10 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 36 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (при IC = 18 А) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 250 нс |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 150 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 контакта) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW15N120T2, IKW20N120T2
- Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
- STMicroelectronics: STGW30H120DF2
- Mitsubishi Electric: CM150DY-24H
Прямые замены:
- IXYS: IXGH18N150
- IR (Infineon): IRG4PH50UD
- Toshiba: GT50J325
Рекомендуемые замены с учетом параметров:
- Для более высоких токов: IXGH24N170 (24 А, 1700 В)
- Для меньшего тепловыделения: IRGP4063DPBF (14 А, 600 В, но с лучшими динамическими характеристиками)
Примечания по замене
- Перед заменой проверьте:
- Рабочее напряжение и ток
- Скорость переключения (особенно в ВЧ-схемах)
- Наличие встроенного диода
- Корпус TO-247 обеспечивает хорошее охлаждение, но для мощных аналогов может потребоваться радиатор.
Если вам нужна дополнительная информация по конкретному применению, уточните условия эксплуатации.