IGBT LWH150G1203

Описание IGBT модуля LWH150G1203

LWH150G1203 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Littelfuse (ранее IXYS), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергетики

Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию с изолированным основанием.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение | 1200 В (VCES) |
| Номинальный ток | 150 А (IC при 25°C) |
| Ток импульсный | 300 А (ICM) |
| Падение напряжения | 2.25 В (VCE(sat) при 150 А) |
| Рассеиваемая мощность| 750 Вт (PD) |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |
| Корпус | Изолированный (ISO5500) |
| Крепление | Винтовое (M6) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• IXYS: LWH150G1203 (оригинал), LWH150N1203
• Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI150U2B-120

Совместимые модули в других линейках:

• Littelfuse: LWS150G1203 (схожие параметры, другой корпус)
• Mitsubishi: CM150DY-12S

Примечания

1. Охлаждение: Для стабильной работы требуется радиатор с эффективным отводом тепла.
2. Замена: При выборе аналога учитывайте распиновку и механические размеры.
3. Драйверы: Рекомендуется использовать драйверы с током управления ≥5 А (например, IXDD430 или HCPL-316J).

Если нужна дополнительная информация (графики, схемы подключения), уточните детали!