IGBT MG12150D-BA1MM

Описание IGBT MG12150D-BA1MM

IGBT MG12150D-BA1MM – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, промышленные приводы и системы управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что обеспечивает высокую энергоэффективность.

Корпус обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию, что делает его пригодным для жестких условий эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Макс. мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Корпус | Изолированный модуль (например, TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12RT4, FF300R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI150U2B-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Похожие модели от Mitsubishi (ныне Renesas):

• MG12150D-BA1MM (оригинал)
• MG12150D-BA1MR (модификация с улучшенным охлаждением)
• MG12150D-BA1MS (версия с повышенной термостойкостью)

Совместимые модули в схемах:

• Подходит для замены в инверторах, сварочных аппаратах, ЧПУ и системах управления двигателями, где используются IGBT на 1200 В и 150 А.

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и сервосистемы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Если нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения, уточните запрос!