IGBT MG12150W-XN2MM

Описание IGBT MG12150W-XN2MM

IGBT MG12150W-XN2MM – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери на переключение и надежную конструкцию, что делает его востребованным в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Корпус модуля обеспечивает хороший теплоотвод и электрическую изоляцию, что способствует длительной работе в тяжелых условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с обратным диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 600 Вт (с охлаждением) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MG12150W-XN2MM (оригинальная модель)
• CM150DY-12NF (Mitsubishi)
• FF150R12RT4 (Infineon)
• FZ150R12KE3 (Infineon)
• SKM150GB12T4 (Semikron)

Совместимые модули в схожих сериях:

• MG12100W-XN2MM (100 А, 1200 В)
• MG12180W-XN2MM (180 А, 1200 В)
• MG12200W-XN2MM (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по заменам, уточните параметры вашей схемы (напряжение, ток, условия охлаждения).