IGBT MG150Q1US51

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG150Q1US51
Описание IGBT MG150Q1US51
IGBT MG150Q1US51 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.
Ключевые особенности:
- Высокая перегрузочная способность
- Низкие динамические потери
- Встроенный свободный диод (антипараллельный диод)
- Высокая надежность и термостойкость
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 150 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 75 А | | Импульсный ток (ICM) | 300 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Мощность рассеивания (Ptot) | 600 Вт | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c) | 0,12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | модульный (TO-247 или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
- Fuji Electric: 2MBI150U4A-120
- Mitsubishi: CM150DY-24S
- SEMIKRON: SKM150GB12T4
- Powerex (Mitsubishi): CM150DU-24NF
Парт-номер производителя:
- Оригинальный номер: MG150Q1US51
- Возможные варианты записи:
- MG150Q1US51
- MG150Q1 US51
- MG150 Q1US51
Применение
- Промышленные инверторы
- Сварочные аппараты
- Частотные преобразователи
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!