IGBT MG150Q1US51

IGBT MG150Q1US51
Артикул: 298782

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MG150Q1US51

Описание IGBT MG150Q1US51

IGBT MG150Q1US51 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

  • Высокая перегрузочная способность
  • Низкие динамические потери
  • Встроенный свободный диод (антипараллельный диод)
  • Высокая надежность и термостойкость

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 150 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 75 А | | Импульсный ток (ICM) | 300 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Мощность рассеивания (Ptot) | 600 Вт | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c) | 0,12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | модульный (TO-247 или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |


Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

  • Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
  • Fuji Electric: 2MBI150U4A-120
  • Mitsubishi: CM150DY-24S
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4
  • Powerex (Mitsubishi): CM150DU-24NF

Парт-номер производителя:

  • Оригинальный номер: MG150Q1US51
  • Возможные варианты записи:
    • MG150Q1US51
    • MG150Q1 US51
    • MG150 Q1US51

Применение

  • Промышленные инверторы
  • Сварочные аппараты
  • Частотные преобразователи
  • Системы управления электродвигателями
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!

Товары из этой же категории