IGBT MG15Q6ES50

Описание и технические характеристики IGBT MG15Q6ES50

Устройство:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) MG15Q6ES50 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, импульсных источников питания, инверторов и других силовых электронных устройств.

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнить)

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 30 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 15 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Корпус | TO-247 (или другой, если уточнить) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Аналоги и совместимые модели:

Парт-номера и аналоги:

• Mitsubishi: MG15Q6ES40 (500 В, 15 А, более старая версия)
• Infineon: IKW15N50T (500 В, 15 А, TO-247)
• Fairchild/ON Semi: FGA15N50 (500 В, 15 А)
• STMicroelectronics: STGW15NC50HD (500 В, 15 А)
• Toshiba: GT15Q501 (500 В, 15 А)

Совместимые модели:

• MG10Q6ES50 (10 А, 500 В)
• MG20Q6ES50 (20 А, 500 В)
• MG30Q6ES50 (30 А, 500 В)

Применение:

• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Управление мощными нагрузками

Если нужны более точные данные (например, для конкретного производителя), уточните модель и бренд.