IGBT MG200H1AL3

Описание IGBT MG200H1AL3

MG200H1AL3 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Индукционные нагреватели
• Промышленные приводы
• Импульсные источники питания

Этот модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также встроенным свободно-колебательным диодом (FRD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Mitsubishi Electric (возможны аналоги других брендов) |
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT Trench Gate) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 800 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 200 А, 25°C) |
| Время включения (t_on) | 150 нс |
| Время выключения (t_off) | 600 нс |
| Корпус | 1 in 1 модуль (изолированный, с винтовыми клеммами) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Вес | ~200 г |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги (Mitsubishi Electric):

• MG200H1AL1 (аналог с близкими параметрами, возможно, другое напряжение)
• MG200H1AL2 (модификация с улучшенными характеристиками)
• CM200DY-24A (аналог от Powerex, 1200V, 200A)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3 (1200V, 200A)
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120 (1200V, 200A)
• SEMIKRON: SKM200GB128D (1200V, 200A)
• IXYS: IXGH200N120B3 (1200V, 200A)

Примечания:

• При замене на аналог важно проверить распиновку и характеристики вольт-амперных кривых.
• Рекомендуется использовать термопасту и радиаторы для эффективного охлаждения.
• Для замены в инверторах лучше выбирать модули с аналогичными динамическими параметрами.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!