IGBT MG200J2YS21

IGBT MG200J2YS21 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств, таких как инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы и системы управления электродвигателями.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: IGBT (N-канальный)
• Корпус: TO-3P(N)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 200 A)
• Время включения (t_on): 75 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги от Toshiba:

• MG200J2YS51 (аналогичные параметры, но с улучшенными характеристиками переключения)
• MG200J2YS50 (более ранняя версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF (но требует проверки распиновки)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Применение и совместимые модели:

IGBT MG200J2YS21 часто используется в:

• Инверторах (например, Delta VFD, Omron MX2)
• Сварочных аппаратах (Kemppi, Lincoln Electric)
• Промышленных ЧПУ и сервоприводах (Yaskawa, Siemens)

Внимание: Перед заменой необходимо уточнять распиновку и параметры управления, так как даже близкие аналоги могут отличаться по характеристикам переключения и тепловым режимам.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному применению или схемам с этим IGBT, уточните детали!