IGBT MG25Q2YS42

Описание IGBT MG25Q2YS42

IGBT MG25Q2YS42 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль обладает низкими коммутационными потерями и высокой эффективностью, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, систем управления электродвигателями и промышленного оборудования.

Основные технические характеристики

• Тип: IGBT модуль (NPT, Trench Gate)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 25 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 15 А
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 75 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (3-выводной)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IKW25N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
  • Mitsubishi: CM200DY-24A
• Парт-номера в других сериях (схожие параметры):
  • MG25Q2YS40 (аналог с немного другими характеристиками)
  • MG30Q2YS42 (30A версия)
  • MG20Q2YS42 (20A версия)

Область применения

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя, так как характеристики могут незначительно отличаться.