IGBT MG300Q1US1

Описание IGBT MG300Q1US1

MG300Q1US1 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и высокоточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип устройства | IGBT |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 300 А |
| Макс. ток импульса (I_CM) | 600 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1000 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 300 А) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | Модульный (обычно TO-247 или аналогичный) |
| Скорость переключения | Высокая (зависит от драйвера) |
| Диод обратного восстановления (если есть) | Встроенный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя, но возможные варианты:

• Infineon: FF300R12KE3, FF300R12KT3
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300N-120
• Semikron: SKM300GB12T4
• IXYS: IXGN300N120B3

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку, характеристики и условия работы, так как модули разных производителей могут иметь отличия в управлении и тепловых режимах.

Нужна дополнительная информация по аналогам или применению? Уточните детали!