IGBT MG50G2YL9

Описание IGBT MG50G2YL9

IGBT MG50G2YL9 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод
• Высокая термическая стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (Microsemi)
• IXGH50N60 (IXYS/Littelfuse)

Парт-номера в других производителях:

• MG50G2YL9 (оригинал, возможно Toshiba/Mitsubishi)
• CM50DY-24H (Powerex)
• SKM50GB063D (Semikron, в модульном исполнении)

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверить datasheet на соответствие электрическим параметрам и корпусу.

Нужна дополнительная информация по применению или эквивалентам?