IGBT MG50H2YS1

Описание IGBT MG50H2YS1

MG50H2YS1 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Устройство сочетает в себе высокую эффективность переключения, низкие потери и надежность, что делает его подходящим для:

• Инверторов и преобразователей мощности
• Систем управления двигателями
• Сварочного оборудования
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных приводов

Технические характеристики

• Тип: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): до 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А (кратковременно)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 250 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги могут отличаться в зависимости от производителя, но следующие модели могут быть функционально близкими:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 50A)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200V, 50A)
• IXGH50N120B3 (IXYS, 1200V, 50A)
• HGTG50N120BN (Microsemi, 1200V, 50A)

Примечание по замене

Перед заменой проверяйте:

1. Распиновку корпуса.
2. Напряжение и токовые характеристики.
3. Параметры управления затвором (V_GE, Q_g).

Если требуется точный аналог, рекомендуется уточнять у производителя (Mitsubishi Electric, если MG50H2YS1 – оригинальная модель от них).