IGBT mg50j2ys1

Описание IGBT MG50J2YS1

MG50J2YS1 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и инверторных применений. Используется в:

• Высокочастотных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных приводах
• Сварочных аппаратах
• Системах управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Mitsubishi: CM50DY-12S
• Infineon: IKW50N120T2
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели в линейке Toshiba:

• MG50J2YS40 (аналог с улучшенными характеристиками)
• MG75J2YS1 (75 А, 1200 В)
• MG30J2YS1 (30 А, 1200 В)

Примечание

При замене учитывайте:

• Рабочее напряжение и ток
• Скорость переключения
• Тепловые характеристики

Рекомендуется проверять datasheet производителя для точного подбора аналога. Если нужна помощь с поиском, уточните сферу применения.