IGBT MIG100J6CSB1W

Описание IGBT MIG100J6CSB1W

IGBT MIG100J6CSB1W – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и силовых приложений. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный диод обратного хода (антипараллельный диод)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT с диодом | | Макс. напряжение VCES | 600 В | | Макс. ток коллектора IC | 100 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 200 А | | Напряжение VCE(sat) | 2,1 В (при IC = 100 А) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~200 нс | | Мощность рассеяния (Pd) | ~250 Вт (с радиатором) | | Диапазон температур | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• MIG100J6CSB1W (оригинал)
• MIG100J6CS (версия без изолированного основания)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, аналогичные параметры)
• HGTG30N60A4D (Fairchild/ON Semi)

Частично совместимые модели (проверять характеристики!):

• FGA60N65SMD (Fairchild, 650 В, 60 А)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS, 600 В, 75 А)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как некоторые аналоги могут отличаться по времени переключения или тепловым параметрам. Для точного подбора лучше использовать даташит производителя.

Если нужны дополнительные данные или схемы подключения, уточните запрос!