IGBT mig25q806h

IGBT MIG25Q806H: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT MIG25Q806H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях, импульсных источниках питания и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 25 А | | Пиковый ток (I_CM) | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 25 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT MIG25Q806H может иметь прямые аналоги или замены от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H25R1202 (Infineon)
• STGW25NC60WD (STMicroelectronics)
• GT25Q101 (серия от некоторых китайских производителей)

Применение

• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Частотные преобразователи
• Управление электродвигателями

Если вам нужны более точные параметры или аналоги для замены, уточните модель производителя и схему применения.