IGBT P089A2006

Описание IGBT P089A2006

IGBT P089A2006 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 40 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 20 А)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны аналогичные варианты)

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGH40N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• IXGH20N60B (IXYS)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRGP4063DPBF (600 В, 24 А)
• STGW40H60DF (600 В, 40 А)
• APT60GF60B2 (600 В, 60 А, для более мощных систем)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры схемы, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Нужна дополнительная информация по применению или аналогам?