IGBT P213A08

Описание IGBT P213A08

IGBT P213A08 — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах силовой электроники.

Технические характеристики

• Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 21 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 42 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 21 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PC40UD (International Rectifier, 1200V, 21A)
• HGTG20N120BND (Fairchild/ON Semi, 1200V, 20A)
• IXGH20N120B3 (IXYS, 1200V, 20A)
• STGW20NC120HD (STMicroelectronics, 1200V, 20A)

Совместимые модели (аналоги с близкими параметрами):

• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A)
• IRG4BC30UD (Infineon, 1200V, 23A)
• GT40DR21 (Toshiba, 1200V, 40A, более мощный)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые приводы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие характеристик в конкретной схеме.