IGBT PGH7516AM

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT PGH7516AM
Описание IGBT PGH7516AM
PGH7516AM — это изолированный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высокой мощностью, предназначенный для использования в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой надежностью.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |--------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Ток коллектора (IC) | 75 А | | Ток импульсный (ICM) | 150 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 150 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C ~ +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGH75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG75N60A4D (Microsemi)
- IXGH75N60B3D (IXYS)
- STGW75H60DF (STMicroelectronics)
Совместимые модели в схемах:
- PGH7516BM (аналог с улучшенными характеристиками)
- PGH7516AF (версия с другим корпусом)
- PGH7515AM (модель с меньшим током, но схожая по параметрам)
Применение
- Преобразователи частоты
- Индукционные нагреватели
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- ИБП (источники бесперебойного питания)
Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам применения, уточните запрос.