IGBT PM20CEE060-5

Описание IGBT модуля PM20CEE060-5

PM20CEE060-5 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для силовых преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы и источники питания. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его пригодным для промышленного применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Производитель | Mitsubishi Electric | | Тип модуля | IGBT с антипараллельным диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 40 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~100 Вт | | Тип корпуса | 20-контактный (CEE) | | Встроенный диод | Да (FRD – Fast Recovery Diode) | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Рабочая температура | -20°C до +150°C (с учетом охлаждения) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~1.5°C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Mitsubishi Electric:

• PM20CEE060 (базовая версия)
• PM20CEE060-1 (модификация с улучшенными параметрами)
• PM20CEE060-3 (альтернативная версия)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon FF20R06KE3
• Fuji Electric 2MBI20U6B-060
• SEMIKRON SKM20GB066D

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электродвигателей
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Сварочное оборудование

Модуль PM20CEE060-5 подходит для замены в ряде устройств, но перед установкой рекомендуется проверить соответствие электрических и тепловых параметров.

Если нужна дополнительная информация (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос!