IGBT PM25CL1C120

Описание IGBT-модуля PM25CL1C120

PM25CL1C120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя Mitsubishi Electric, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, что делает его удобным решением для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 130 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 230 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | 25-контактный, модульный (IGBT + диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• PM25CL1A120 (аналог с другими параметрами)
• CM25DY-12H (близкий по характеристикам)
• PM25CL1B120 (модификация с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF25R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI25U-120
• SEMIKRON: SKM25GB12V

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)

Если вам нужна более точная информация по замене или datasheet, уточните условия работы (частота, нагрузка, охлаждение).