IGBT PM75CL1B060

Описание IGBT модуля PM75CL1B060

PM75CL1B060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды, обеспечивая эффективное управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 75 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 150 А |
| Мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Скорость переключения | Высокая |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MITSUBISHI: CM75DY-12H, CM75DU-12NFH
• FUJI: 2MBI75N-060
• INFINEON: FF75R12KE3
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IR (International Rectifier): IRG7PH35UD

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение (600 В) и ток (75 А).
• Конструкцию корпуса и расположение выводов.
• Наличие встроенного диода.

Модуль PM75CL1B060 подходит для ремонта преобразователей частоты (например, Delta, Lenze, Omron) и источников питания. Для точной замены рекомендуется сверяться с даташитом производителя.

Если нужны дополнительные параметры (времена переключения, схемы подключения), уточните запрос!