IGBT Puissance

IGBT Puissance
Артикул: 299336

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT Puissance

Описание IGBT модулей мощности

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это мощные полупроводниковые приборы, сочетающие преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии). Они широко применяются в:

  • Преобразователях частоты (инверторах)
  • Системах управления электродвигателями
  • Источниках бесперебойного питания (ИБП)
  • Индукционном нагреве
  • Возобновляемой энергетике (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Основные технические характеристики IGBT модулей

| Параметр | Типовые значения | |-----------------------------|----------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В – 1700 В | | Ток коллектора (IC) | 10 А – 1000 А (в зависимости от модели) | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 50 Вт – 1000 Вт | | Температурный диапазон | -40°C до +150°C | | Частота переключения | 5 кГц – 100 кГц (зависит от технологии) | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1.5 В – 3.5 В | | Время включения/выключения (ton/toff) | 50 нс – 500 нс |


Популярные парт-номера IGBT модулей

Infineon Technologies

  • FF300R12KE3 (1200V, 300A, NPT IGBT)
  • IKW75N65EH5 (650V, 75A, TRENCHSTOP™ 5)
  • IKZ50N65EH5 (650V, 50A, SMD-корпус)

Mitsubishi Electric

  • CM600DY-24NF (1200V, 600A, Dual IGBT)
  • NFM50T12K3H (1200V, 50A, 7-й поколение NX)

Fuji Electric

  • 2MBI200XBE120-50 (1200V, 200A, 7-й поколение X系列)
  • 6MBI50VA-120 (1200V, 50A, Compact модуль)

STMicroelectronics

  • STGW40H65DFB (650V, 40A, TO-247)
  • SLLIMM™ (STGIPS20K60) (600V, 20A, интегрированный драйвер)

ON Semiconductor

  • FGH40T65SPD (650V, 40A, TO-247)
  • NGTB40N120FL3WG (1200V, 40A, Field Stop IGBT)

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT модули взаимозаменяемы с аналогами других производителей:

| Оригинал | Аналог | |--------------|------------| | Infineon FF300R12KE3 | Mitsubishi CM300DY-24NF | | Fuji 2MBI200XBE120-50 | SEMIKRON SKM200GB12T4 | | STMicro STGW40H65DFB | ON Semiconductor FGH40N65SFD |


Заключение

Выбор IGBT модуля зависит от:

  • Рабочего напряжения и тока
  • Требований к частоте переключения
  • Условий охлаждения (радиатор, тепловые режимы)
  • Наличия встроенной защиты (диод обратного хода, температурный датчик)

Рекомендуется сверяться с datasheet производителя перед заменой!

Если вам нужна помощь с подбором аналога или расчетом параметров – уточните данные вашей системы.

Товары из этой же категории