IGBT QM150E2Y-HD

Описание IGBT QM150E2Y-HD

QM150E2Y-HD – это высоковольтный IGBT-транзистор с быстрым переключением, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию с изолированным корпусом.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип прибора | IGBT + диод | | Макс. напряжение V_CES | 1500 В | | Ном. ток коллектора I_C | 150 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток I_CM | 300 А | | Рассеиваемая мощность P_D | 600 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2.5 В (тип.) | | Время включения t_d(on) | 60 нс | | Время выключения t_d(off) | 200 нс | | Диапазон температур | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (TO-264, N-channel) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• Mitsubishi: CM150E2Y-12H
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS: IXGH150N60B3
• STMicroelectronics: STGW150NC60WD
• Toshiba: MG150Q2YS41

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Тяговые преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в управляющих напряжениях и тепловых режимах. Для точного подбора рекомендуем обращаться к даташитам производителей.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!