IGBT QM200HA2H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM200HA2H
Описание IGBT QM200HA2H
QM200HA2H — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким током коллектора, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую термостабильность.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип устройства | IGBT + диод (встроенный обратный диод) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (IC) при 25°C | 200 А |
| Макс. ток коллектора (IC) при 100°C | 120 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 400 А |
| Макс. мощность рассеивания (Ptot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW40N120H3
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
- Mitsubishi Electric: CM200DY-24A
- Semikron: SKM200GB12T4
Совместимые модели (по характеристикам):
- QM200DY-H (аналог с аналогичными параметрами)
- IXGH40N120B3 (от IXYS, с меньшим током)
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A)
Если требуется точная замена, важно учитывать:
- Напряжение и ток
- Скорость переключения
- Тип корпуса
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные приводы
Для уточнения замены рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры.