IGBT QM25TB-24

Описание IGBT QM25TB-24

QM25TB-24 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Производитель | (уточните бренд, например, Toshiba, Infineon, STMicro и т. д.) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N120BND (STMicroelectronics)
• IXGH24N120 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• QM30TA-24 (30 А, 1200 В)
• QM50HB-24 (50 А, 1200 В)
• GT25Q101 (25 А, 1200 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить datasheet оригинального модуля и аналога по параметрам V_CES, I_C и тепловым характеристикам.

Нужны дополнительные данные? Уточните производителя или конкретное применение!