IGBT QM30E2YH

Описание IGBT QM30E2YH

QM30E2YH – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Высокая скорость переключения.
• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратных выбросов напряжения.
• Изолированный корпус (TO-247 или аналогичный), обеспечивающий хороший теплоотвод.
• Работает в широком диапазоне температур.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15-20 А (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 30 А) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | ~200 Вт (с радиатором) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Встроенный диод | Да (быстрый восстановительный) |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N60T (600 В, 30 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH30N60LSD (600 В, 30 А, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD (600 В, 30 А, TO-247)
• IXYS: IXGH30N60B3D1 (600 В, 30 А, TO-247)

Прямые замены (OEM-аналоги):

• QM30E2Y (возможна модификация без "H")
• QM30E2 (более старая версия)
• IRG4PH30UD (International Rectifier, 600 В, 23 А, но близкий по параметрам)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверить datasheet конкретного производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.