IGBT QM30TFHB

Описание IGBT QM30TFHB

QM30TFHB – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-3PF, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств. Применяется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Импульсных источниках питания
• Системах управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ~ +150°C |
| Корпус | TO-3PF (изолированный) |

Part-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (включая альтернативные маркировки):

• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• H30R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH30N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PH30UDPBF (Infineon)

Совместимые модели (с близкими параметрами):

• QM30TFH (аналог без изолированного корпуса)
• GT30Q321 (Toshiba)
• NGTB30N120LWG (ON Semiconductor)

Примечания

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите.
2. Рекомендуется использовать радиатор для отвода тепла.
3. Учитывайте возможные различия в динамических параметрах (t_rr, Q_g).

Если нужен даташит или уточнение по конкретному аналогу – укажите, предоставлю дополнительную информацию.