IGBT QM50TB-HY

Описание IGBT QM50TB-HY

QM50TB-HY – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой стойкостью к перегрузкам и эффективным теплоотводом благодаря компактной конструкции.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | ≤ 60 нс |
| Время выключения (t_off) | ≤ 300 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)

Совместимые модели (по параметрам):

• IXGH50N120B3 (IXYS)
• STGW50NC120HD (STMicroelectronics)
• NGTB50N120FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.