IGBT RM10TA2H

Описание IGBT RM10TA2H

RM10TA2H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики:

• Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 40 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 100 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 10 А)
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура хранения: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-220AB (изолированный)

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• RM10TA2H (оригинал)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• H20R1202 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA20N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PC50W (600 В, 23 А)
• FGH20N60 (600 В, 20 А)
• IXGH20N60B (IXYS)

Примечания:

• При замене аналогами важно учитывать параметры V_CE, I_C и тепловые характеристики.
• Рекомендуется проверять datasheet на соответствие схемотехнике.

Если нужна дополнительная информация (например, параметры драйвера или применение в конкретных схемах), уточните запрос.