IGBT SKD25/08

Описание IGBT модуля SKD25/08

SKD25/08 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Модуль объединяет IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 800 В
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): до 50 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~200 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8–2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~50–100 нс
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (тип TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и аналоги

• Оригинальные номера:
  • SKD25/08 (вероятно, производитель Semikron или Infineon)
  • SKM25GB08V (аналог от Semikron)
• Совместимые/аналогичные модели:
  • Infineon: IKW25N80T
  • Fuji Electric: 2MBI25U-080
  • Mitsubishi: CM75DY-12H
  • STMicroelectronics: STGW25H80DF

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Примечание

Уточните производителя модуля (например, Semikron, Infineon), так как маркировка "SKD25/08" может соответствовать разным линейкам. Для точного аналога проверяйте даташит по электрическим параметрам и корпусу.

Если нужна дополнительная информация по конкретному производителю – укажите его, и я уточню данные!