IGBT SKM100GB102D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM100GB102D

SKM100GB102D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя Semikron, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и других силовых электронных устройств.

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 330 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (при 100 А)
• Время включения (t_on): 55 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,38 °C/Вт
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием (SEMiX 2)

Встроенные компоненты:

• Встроенный свободный диод (антипараллельный)
• Гальваническая изоляция между силовыми выводами и основанием

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM100GB063D (600 В, 100 А)
• SKM100GB128D (1200 В, 100 А, обновленная версия)
• SKM75GB12T4 (1200 В, 75 А, альтернатива)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-120

Совместимые корпуса и серии:

• SEMiX 2 (аналогичные модули в таком же форм-факторе)
• SKMxxGByyyD (где xx – ток, yyy – напряжение)

Заключение

Модуль SKM100GB102D – надежный IGBT-транзистор для среднемощных применений. Его можно заменить на аналогичные модели от Semikron или других производителей с похожими параметрами.

Если нужны более точные данные по заменам или datasheet, уточните условия эксплуатации (температуру, частоту переключений и т. д.).