IGBT SKM200GB123D1S

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM200GB123D

Модель: SKM200GB123D (SKM200GB123D1S)
Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)

Основные характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А
• Пиковый ток коллектора (I_CP): 400 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2,2 В (при I_C = 200 А)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 670 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: SEMiX 4 (двойной модуль, изолированный)
• Тип крепления: Винтовое (резьбовые клеммы)
• Встроенный свободный диод: Да

Типовые применения:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы для электропривода
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM200GB12T4
• SKM200GB12T
• SKM200GB128D

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120

Рекомендуемые замены (при отсутствии оригинала):

• SKM200GB12E4 (1200 В, 200 А, более новая версия)
• SKM200GB128D (с улучшенными динамическими характеристиками)

Примечания:

• Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется проверять схему подключения перед установкой, так как распиновка может отличаться у аналогов.

Если нужна дополнительная информация по заменам или параметрам, уточните!