IGBT SKM200GB176D

Описание IGBT модуля SKM200GB176D

SKM200GB176D — это двухканальный IGBT-модуль (DUAL) с обратными диодами, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

Общие параметры:

• Производитель: SEMIKRON
• Тип: IGBT-модуль (NPT Trench) + диод
• Конфигурация: 2 x IGBT + диод (Dual)
• Корпус: SEMiX 2 (изолированный)

Электрические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 200 А
• Ток коллектора (I_C @ 80°C): 140 А
• Импульсный ток (I_CM): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (тип.)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс

Параметры встроенного диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Импульсный ток (I_FSM): 400 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В (тип.)

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Механические характеристики:

• Вес: ~100 г
• Монтаж: винтовое крепление
• Изоляция: 2500 В (min)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM200GB12T4 (1200 В, 200 А, аналогичный корпус)
• SKM200GB128D (1200 В, 200 А, другой вариант корпуса)
• SKM200GB17T4 (1700 В, 200 А, более высокое напряжение)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции

Модуль SKM200GB176D отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в силовой электронике.